900V超结VDMOS的设计
超结MOSFET具有优越的静态直流特性.在已有成功设计600V超结VDMOS经验的基础上,提出了相应的工艺方法.利用TCAD仿真软件,对主要的工艺参数和器件电学参数进行仿真优化,得到击穿电压为929 V、比导通电阻为23.67mΩ·cm2的超结VDMOS.
超结、VDMOS、功率MOSFET
41
TN386.1(半导体技术)
2011-09-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
289-292
超结、VDMOS、功率MOSFET
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TN386.1(半导体技术)
2011-09-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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