4H-SiC双层浮结肖特基势垒二极管温度特性研究
为了增强器件高温条件下的适应性,对4H-SiC双层浮结肖特基势垒功率二极管的温度特性进行了研究.结果表明,当温度变化时,器件的阻断电压、通态电阻、反向漏电流及开关时间等电学性质均要发生一定的变化.作为一种基于浮结技术的sic新器件,通过数值模拟方法对其特征参数进行优化,可使其承载电流能力、阻断特性和开关速度等得到进一步的改善.
4H-SiC、双层浮结、肖特基势垒二极管
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TN403(微电子学、集成电路（IC）)
教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室开放基金
2011-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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