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基于ANSYS的IGBT热模拟与分析

引用
根据IGBT的基本结构和工作原理,建立了一种新的IGBT三维热模型.运用基于有限元法的分析软件ANSYS,对功率分别为0.5W,1.0W,1.5W,2.0W条件下的器件热分布进行模拟分析.结果表明,热耦合加剧了器件的自升温,且功率越大,影响越明显.另外,考虑了热导率随温度变化情况下的器件热模拟结果显示:在相同的功率(1W)条件下,器件最高温升高4.8K.由模拟结果得到的热阻与红外实测结果基本一致.

IGBT、热模型、热耦合、自升温

41

TN322+8(半导体技术)

2011-05-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

139-142

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

41

2011,41(1)

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