不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应
对1Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究.结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响.在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其次是工作状态,浮空状态时器件的辐射损伤最小.在工作状态和静态加电两种偏置条件下,静态功耗电流的退化与器件功能失效密切相关,可作为器件功能失效的预警量.
静态随机存取存储器、总剂量辐照、偏置条件
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TN386.1(半导体技术)
2011-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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