基于DICE结构的抗辐射SRAM设计
空间应用的SRAM必须具备抗辐射加固能力.介绍了SRAM工作原理与双互锁存储单元(DICE)技术,给出了基于DICE结构的SRAM存储单元的电路设计、版图设计及其功能仿真.在SMIC 0.13μm工艺下,应用HSPICE进行单粒子效应模拟,与传统6T CMOS SRAM相比,基于DICE结构的SRAM在相同工艺条件下抗辐照能力有显著的提高.
SRAM、辐射加固、双互锁存储单元、存储器
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2011-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
107-110,119
