0.18μm低压高速高PSRR集成运放芯片设计
基于0.18μm 1.8V CMOS标准工艺,设计了一个低压、高速、高稳定性、高电源抑制比的集成运算放大器芯片.设计中,采用密勒补偿电容,结合调零电阻补偿技术、集成三支路基准电流源高输出阻抗电流分配电路及一种自偏置和预校准偏置电压源,有效地提高了系统的速度和带宽,并具有优良的电源抑制比.利用Cadence Spectre仿真器,对芯片版图进行后端仿真验证.当负载电阻为100KΩ、负载电容为2pF时,芯片功耗4mW,单位增益带宽900MHz,电源抑制比-100dB,开环直流电压增益68dB,相位裕度102°,建立时间4.5ns,压摆率240V/μs,输出摆幅0.116～1.6V.仿真结果表明,该芯片可应用于中频、低频段的模拟电路系统,尤其适用于处理微弱信号的高性能电子系统.
运算放大器、密勒补偿、调零电阻、三支路基准电流源、预校准
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TN492(微电子学、集成电路（IC）)
广西科学研究与技术开发计划项目资助"开关电流-模拟取样数据集成电路技术的研究"桂科基0731021
2011-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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