一种基于密勒倍增的高性能LDO的设计
基于零极点跟踪技术,提出一种新的LDO频率补偿架构.利用密勒电容倍增原理和零极点跟踪技术,在很小的补偿电容面积下使LDO获得全负载范围内的环路稳定.摆率增强电路的应用使系统具有优越的负载瞬态调整性能.基于0.5 μm标准CMOS工艺,对LDO进行仿真验证.结果表明,系统空载下,静态电流为32 μA,且能提供最大200 mA的负载电流;在输出电容为2.2 μF、负载电流以200 mA/10 ns突变时,最大下冲电压仅为10 mV,没有明显的上冲.
密勒电容倍增、LDO、零极点跟踪、摆率增强
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2011-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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