半导体桥多晶硅工艺优化
针对多晶硅淀积工艺对半导体桥性能影响严重的问题,开展多晶硅工艺优化实验,获得多晶硅淀积工艺优化条件,多晶硅半导体桥电阻稳定控制在1±0.07 Ω范围内,达到多晶硅桥的应用要求.
半导体工艺、多晶硅电阻、半导体桥
40
TN389(半导体技术)
2010-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
601-603
相关文献
评论
半导体工艺、多晶硅电阻、半导体桥
40
TN389(半导体技术)
2010-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
601-603
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话：4000115888 举报邮箱：problem@wanfangdata.com.cn
