基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器
采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN )802.11b/g 2.4 GHz 频段的Class AB 射频功率放大器.该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路.仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小于-20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm, 最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148 μm×1 140 μm.
射频功率放大器、SiGe、BiCMOS
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TN402(微电子学、集成电路（IC）)
科技部国家科技重大专项资助项目2009ZX01034-002-002-001;上海AM基金资助项目09700713800
2010-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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