深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应
基于中国科学院微电子研究所开发的0.35 μm SOI工艺,制备了深亚微米抗辐照PDSOI H型栅nMOSFET.选取不同沟道宽度进行加速应力实验.实验结果表明,热载流子效应使最大跨导变化最大,饱和电流变化最小,阈值电压变化居中.以饱和电流退化10%为失效判据,采用衬底/漏极电流比率模型,对器件热载流子寿命进行估计,发现同等沟道长度下,沟道越宽的器件,载流子寿命越短.
PDSOI、nMOSFET、热载流子效应
40
TN386(半导体技术)
2010-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
461-463
