氧化硅薄膜的制备和性质研究
在室温条件下,采用反应磁控溅射方法,在硅衬底上制备氧化硅薄膜.研究了制备过程中不同氧气含量时氧化硅薄膜的生长速率、薄膜中的O/Si原子比例、表面粗糙度、薄膜的介电性能.发现薄膜的生长速率和介电常数随溅射时氧气含量的增加先增大后减小;薄膜中的O/Si原子比例随氧气含量的增加先增大,后来变化不明显,且很难达到或超过理想比例(2∶1);薄膜的粗糙度随氧气含量的增加先减小,后来基本保持不变.
磁控溅射、氧化硅、生长速率、介电常数、原子比例
40
TB34;TN405(工程材料学)
吉林省科技厅青年科研基金资助项目20080170
2010-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
454-456
