基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的.利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOSFET.结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结构能更有效地提高沟道应变.增加氮化硅薄膜的本征应力、减小应变硅层厚度、适当提高锗组分,均能有效增加硅沟道区的应变量.采用有限元分析进行的模拟研究,可弥补实验测量的不足,为纳米级应变硅器件的设计和制造提供参考.
应变硅、绝缘体上锗硅、接触孔刻蚀阻挡层、NMOS场效应管、有限元分析
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-06-0484;教育部留学回国人员科研启动基金教外司留[2008]890
2010-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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