超高压集成电路中的闩锁效应与仿真
研究超高压集成电路中的寄生闩锁效应问题.针对采用外延技术的BCD工艺,给出外延层材料电阻率、工艺和结构参数变化与寄生闩锁结构触发阈值之间的数量关系,并在分析研究的基础上,给出一种高触发耐量的合理设计方案.经仿真实验,证明了该方案的可行性.
超高压集成电路、闩锁效应、高压BCD、结构参数、触发阈值
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TN431(微电子学、集成电路(IC))
上海市国际科技合作基金资助项目07SA03
2010-08-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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