基于BSIM3V3模型的E类CMOS功率放大器设计
为减小功率放大器的尺寸和提高放大器的效率,可以利用晶体管的漏端寄生结电容作为E类射频功率放大器的分流电容.文章提出根据晶体管漏体寄生结电容来设计E类CMOS功率放大器,在BSIM3V3漏体结电容模型的基础上,分析了漏端边缘电容对设计的影响,同时,采用数据拟合来降低计算复杂度.仿真结果表明,该方法可运用于实际设计.文章的研究为低功耗E类CMOS功率放大器的小型化设计提供了一种新的方法,具有一定的应用参考价值.
功率放大器、CMOS、分流电容、寄生电容
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TN722.7+5(基本电子电路)
2010-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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343-346
