耗尽型4H-SiC埋沟MOSFET器件解析模型研究
建立了基于漂移扩散理论的4H-SiC埋沟MOSFET器件的物理解析模型.SiC/SiO2界面处的界面态密度及各种散射机制都会导致器件载流子迁移率的下降,采用平均迁移率模型,分析散射机制对载流子迁移率的影响,讨论了界面态对阈值电压的影响.考虑到器件处在不同工作模式下,沟道电容会随栅压的变化而改变,采用了平均电容概念.器件仿真结果表明:界面态的存在导致漏极电流减小;采用平均迁移率模型得到的计算结果与实验测试结果较为一致.
SiC、埋沟MOSFET、界面态、平均迁移率
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
重庆市自然科学基金资助项目2006BB2364
2010-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
283-286,290
