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0.35μm SiGeBiCMOS10位1GSPS单片直接数字频率合成器

引用
设计了一个基于SiGe BiCMOS工艺的高速数字频率合成器.该电路在一块芯片上集成了DDS核、分段式电流舵DAC、并/串接口、时钟控制逻辑等模块.芯片采用标准0.35 μm SiGe BiCMOS工艺流片.测试结果表明,DDS能够生成高速、高质量的正弦/余弦捷变波形.

直接数字频率合成器、CORDIC、DAC、SiGe、BiCMOS

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TN741(基本电子电路)

2010-06-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

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2010,40(2)

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