用于双极电路ESD保护的SCR结构设计失效分析
针对目前双极电路的ESD保护需求,引入SCR结构对芯片进行双极电路ESD保护.通过一次流片测试,发现加入SCR结构的电路芯片失效,SCR结构的I-V特性曲线未达到要求.从设计问题和工艺偏差两方面入手,分析了失效原因,通过模拟仿真,验证了失效是因为在版图设计时为节省版图面积,将结构P阱中NEMIT扩散区域边上用来箝位的电极开孔去掉造成的,并非工艺偏差导致的.通过二次流片测试,验证了失效原因分析的正确性,SCR器件结构抗ESD电压大于6 kV,很好地满足了设计要求.
双极电路、静电保护、可控硅整流器、失效分析
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TN431(微电子学、集成电路（IC）)
2010-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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