自顶向下制备硅纳米线环栅MOSFET新工艺
准弹道输运特征的环栅纳米线MOSFET由于具备很强的栅控能力和抑制短沟道效应的能力,被认为是未来22 nm技术节点以下半导体发展路线最有希望的候选者之一.采用传统CMOS工艺在SOI和体硅衬底上制备环栅纳米线MOSFET,解决了许多关键的技术难点,获得了许多突破性进展.文章综述了目前各种新颖的自顶向下制备方法和各种工艺的优缺点,以及优化的方向.
纳米线环栅、场效应晶体管、自顶向下制备、SOI
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TN305.5(半导体技术)
2010-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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