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WLAN中带ESD保护的低噪声放大器设计

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介绍了一个基于IBM 0.18 μm CMOS工艺,用于无线局域网(WLAN)IEEE 802.11a的带ESD保护电路的低噪声放大器(LNA).通过分析电感负反馈共源共栅放大器的输入阻抗、增益和噪声系数,以及ESD保护电路对低噪声放大器性能的影响,对该5 GHz低噪声放大器进行设计和优化.测试结果表明,当电源电压为1.8 V时,消耗电流为6.5 mA,增益达到10 dB,输入匹配达到-18 dB,噪声为4.29 dB,线性度IIP3为4 dBm.

低噪声放大器、CMOS、无线局域网、静电放电

40

TN431.1(微电子学、集成电路(IC))

上海应用材料研究与发展基金资助项目07SA04,09700713800;纳光电教育工程中心;上海重点学科建设项目B411

2010-04-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

6-10,15

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

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2010,40(1)

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