条形栅VUMOSFET特征导通电阻的物理模型
以低压条形VUMOSFET单胞为例,系统分析VUMOSFET特征导通电阻(R_(on))的各个构成部分.重点定性分析了特征导通电阻与器件的横向和纵向结构参数的关系.通过分析和仿真计算,得出条形VUMOSFET单胞设计的优化原则,并给出具体解析表达式.
VUMOSFET、特征导通电阻、物理模型
39
TN303(半导体技术)
沈阳市科技局专项科研资助项目108186-2-00
2010-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
861-863
