先栅工艺中高K/双金属栅集成研究新进展
随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺,高K/双金属栅的集成已成为研究热点.利用多晶硅回刻和摻杂结合两步全硅化工艺的方案,可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成.采用淀积-刻蚀-再淀积、双高K双金属栅的集成方案,也可实现高K与双金属栅的集成.为缓解费米能级钉扎效应,通过盖帽层或离子注入技术对高K或金属栅掺杂,可得到具有带边功函数的高K/双金属栅集成.多晶硅/金属栅复合结构为高K与双金属栅的集成提供了更灵活的选择.
高K材料、金属栅、费米能级钉扎效应、盖帽层、离子注入、功函数
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TN405(微电子学、集成电路（IC）)
2010-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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