2.45 GHz高线性功率放大器设计
基于SMIC 0.18 μm RF-CMOS工艺,实现了一种工作于2.45 GHz的功率放大器,给出了电路仿真结果和电路版图.电路采用两级放大的结构,分别采用自偏置技术和电阻并联负反馈网络来缓解CMOS器件低击穿电压的限制,同时保证了稳定性的要求.为了提高线性度,采用一种集成的二极管线性化电路对有源器件的输入电容变化提供一种补偿机制,漏端的LC谐振网络和优化的栅偏置用来消除由跨导产生的非线性谐波.在3 V电源电压下,放大器功率增益为23 dB,输出1 dB压缩点约为25 dBm,对应的功率附加效率PAE可达35%.
CMOS、功率放大器、射频集成电路
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TN722.7~+5(基本电子电路)
长三角科技合作项目2008C16017
2010-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
747-750,755
