超薄层常压外延工艺研究
为了满足一种3 mm雪崩渡越二极管的技术要求,改进了常压外延工艺,在PE-2061S硅外延设备上,实现了100 mm硅片超薄外延层的生长.外延层厚度为0.45～0.55μm,外延层与衬底之间的过渡区宽度大于0.2μm.过渡区宽度以及外延层厚度和掺杂浓度的精确控制,提高了器件的微波性能.
常压外延、超薄层外延、IMPATT二极管
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TN304.1+2(半导体技术)
2009-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
722-724
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