深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET的二维电流模型
建立了深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET器件的二维电流模型;运用HSPICE软件,模拟得到其电流-电压特性曲线.与相同条件下的全耗尽SOI MOSFET相比,该新型SOI器件具有更大的电流输出,是一种直流性能优异的新型SOI器件.
深亚微米、全耗尽、SOI、BJMOSFET、二维电流模型
39
TN305(半导体技术)
2009-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
684-688
相关文献
评论
深亚微米、全耗尽、SOI、BJMOSFET、二维电流模型
39
TN305(半导体技术)
2009-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
684-688
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话：4000115888 举报邮箱：problem@wanfangdata.com.cn
