不同γ脉冲宽度下CMOS电路闩锁阈值的数值模拟
采用MEDICI软件,用电流注入和X射线辐照两种方法,对瞬态辐照引起的CMOS电路的闩锁特性进行模拟,研究了闩锁阈值与脉冲宽度的关系;将计算结果与实验测量结果进行比较,结果表明:随着脉冲宽度的增加,辐射损伤的剂量率阈值随之降低,而辐射损伤的总剂量阈值随之增加,CMOS电路的剂量率闩锁阈值与脉冲宽度的倒数成正比.
瞬态辐照、闩锁阈值、脉冲宽度、CMOS电路、数值模拟
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TN432;TN79+1(微电子学、集成电路（IC）)
2009-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
680-683
