低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究
基于0.18μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路.该电路利用SOI器件的特殊结构(隐埋氧化层BOX,高阻衬底)和特殊SOI器件(FB,BC,BT等),使电路采用的器件较之体硅CMOS器件具有更优的隔离性能,实现了降低插入损耗和增加隔离度的目的.该电路经过模拟仿真,在频率为2.4 GHz时,插入损耗和隔离度分别为-1 dB和40 dB.
SOI、射频开关、CMOS、低插入损耗、高隔离度
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TN402(微电子学、集成电路（IC）)
上海AM基金资助项目08700741300;上海市科委项目08706200802;纳光电教育工程中心NPAI资助项目,上海重点学科建设项目B411
2009-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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