一种多模多频无线收发器前端SiGe BiCMOS低噪声放大器
基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种应用于2.4～2.5GHz 802.11b/g频段的低噪声放大器(LNA).电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基(Cascode)结构,对称电感有效地降低了芯片面积,优化了电路性能.仿真结果表明:该电路在2.4 GHz到2.5 GHz频率范围内,增益(S21)达到25 dB,噪声系数(NF)小于1.5 dB,大幅度提高了收发机系统的性能.此外,输入和输出匹配(S11,S22)分别达到-15 dB,1 dB压缩点大于-25 dBm.电源电压为2.5 V时电路总电流为3 mA.
低噪声放大器、共射共基、SiGe、BiCMOS
39
TN433(微电子学、集成电路（IC）)
上海市科委项目08706200802,08700741300;纳光电教育工程中心NPAI项目;上海重点学科建设项目B411
2009-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
631-634,683
