电场增强Ni诱导非晶硅横向结晶及其电迁移效应
在外加直流电场作用下,Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜发生横向结晶.影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多,如场强、反应以及退火条件等.适当强度的电场能显著加快Ni横向诱导a-Si结晶速率,当场强超过某一临界值,则该速率降低.基于电迁移效应,给出较为合理的解释.
金属诱导横向结晶、电场增强横向诱导结晶、扩散、固相反应、电迁移、晶粒生长
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TN304.8;TN304.055(半导体技术)
天津市高校科技发展基金资助项目20060605
2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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588-592
