半超结VDMOS的研究
为了改善功率器件导通电阻与击穿电压的折中关系,提出了半超结理论及其设计方法.在原胞部分研究了各个器件结构参数的深度和浓度的优化,在终端部分提出了一种平面结终端技术;提出了实现半超结VDMOS的工艺实现方法,并利用2-D仿真软件Medici进行仿真验证.结果表明,利用该优化方案,可以得到特征导通电阻为40 mΩ·cm2的600 V半超结VDMOS器件.
功率器件、终端技术、半超结、电压支持层
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TN386.1(半导体技术)
2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
584-587
