高压CoolMOS的准饱和效应分析及优化设计
分析了利用多次外延/离子注入工艺方法制造的高压CoolMOS(>650 V)的准饱和现象,与普通的低压CoolMOS的准饱和现象进行了对比.结果发现,准饱和首先发生在N-Pillar的底部,分析了这种现象产生的原因.为了改善器件的准饱和效应,提出一种简单的优化结构,在几乎不改变器件的导通电阻和击穿电压的前提下,使器件的开态准饱和电流提高了约40%,并且利用仿真软件Sentaurus Device进行了模拟仿真.
高压器件、CoolMOS、准饱和、浮置P-Pillar
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
580-583
