PJFET与双极兼容工艺技术研究
通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究,解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点,得到了IDSS＝150～350 μA(W/L = 10∶1)、VP = 0.8～1.2 V、IGSS = 10-12～10-11A的高性能PJFET和β=100～250、BVCEO ≥ 36 V、Va ≥ 100 V 的NPN管.采用该技术,成功研制出一种偏置电流小于100 pA的高精密双极结型场效应晶体管(BJFET)集成运算放大器,获得了良好的效果.
PJFET、NPN管、PJFET-双极兼容工艺、集成运算放大器
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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