80C196单片机系统X射线剂量增强效应研究
研究了主要由N80C196KC20、PSD501B1和X24F128三部分组成的单片机系统在X射线辐射环境中的剂量增强效应.对系统及三部分单元电路进行了X射线和γ射线的总剂量对比辐照实验,测量了系统工作电流,同时监测196芯片和PSD芯片输出波形的变化.研究了单元电路的辐照敏感性对系统辐射损伤的贡献,得到了系统及单元电路的剂量增强系数.从实验结果综合分析得出:相对而言,PSD单元电路是辐射敏感区域,严重影响了系统的抗辐射能力;系统和单元电路的剂量增强并不显著,一方面,芯片采用的是塑封工艺,不存在重金属材料,另一方面,封装外壳吸收了部分低能X射线,实验测量到的剂量增强系数小于真实值.
单片机系统、单元电路、总剂量辐照、剂量增强效应
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TN47(微电子学、集成电路（IC）)
2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
555-558
