一个带自热效应的新型LDMOS解析模型
介绍了一个带自热效应的新型LDMOS解析式模型.通过研究以阈值电压为基础的BSIM3v3模型,增加了对漂移区影响的考虑,同时,加入自热效应影响,且不用引入单独的自热网络,有效地提高了计算效率.模型中引入有物理背景的新参数来描述LDMOS特有的准饱和效应和自热效应.在计算实验中,模拟数据很好地吻合实际器件的测量数据,证明该模型适用于LDMOS功率器件在电路中的仿真.
LDMOS、自热效应、BSIM3v3、解析模型
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TP386.1(计算技术、计算机技术)
2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
536-540
