4.2 GHz CMOS射频前端电路设计
设计并实现了一个工作在4.2 GHz的全集成CMOS射频前端电路,包括可实现单端输入到差分输出变换的低噪声放大器和电流注入型Gilbert有源双平衡混频器.电路采用SMIC 0.18 μm RF工艺.测试结果表明,在1.8 V电源电压下,电路的功率增益可达到26 dB,1 dB压缩点为-27 dBm,电路总功耗 (含Buffer) 为21 mA.
超外差接收机、射频前端、低噪声放大器、混频器
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TN773;TN722.3(基本电子电路)
2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
532-535
