多路V/I输出的高性能CMOS带隙基准源
在传统CMOS带隙基准源的基础上,采用温度补偿和差分负反馈的方法,提出了一种多路V/I输出的高性能CMOS带隙基准源结构.基于0.5 μm CMOS工艺,进行了设计实现.HSPICE仿真结果表明,该带隙基准源具有较低的温度系数(7.9×10-6/℃,0～100 ℃),电源电压从1.9 V变化到5.5 V,输出仅变化1.8 mV,基准源输出为1.233 V,分压电路产生多路输出,基准电流4 μA,温度系数均小于12×10-6 /℃(-25 ℃～125 ℃).
带隙基准源、多路V/I输出、温度系数、电源抑制比
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目60873016,60876024;国家高技术研究发展863计划基金资助项目2007AA01Z102,2008AA01Z147
2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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503-507
