一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源
根据带隙基准电压源理论,在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上,采用曲率补偿技术,对一阶温度补偿电路进行高阶补偿,获得了一种结构简单,电源抑制比和温度系数等性能都较好的带隙电压基准源.该电路采用CSMC 0.5 μm标准CMOS工艺实现,用Spectre进行仿真.结果表明,在3.3 V电源电压下,在-30 ℃～125 ℃范围内,温度系数为3.2×10-6 /℃;在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)高达118 dB,1 kHz时(PSRR)达到86 dB.
带隙基准源、温度系数、电源抑制比、曲率补偿
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目60666001;教育部"优秀青年教师资助计划"资助项目教人司[2003]355号;贵州省优秀青年科技人才培养计划基金资助项目黔科合人字2013;2006年度教育部博士点基金
2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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