基于薄膜SOI的PDP高压寻址驱动集成电路
基于自主开发的薄膜SOI高低压兼容工艺,研制出一种64位输出的薄膜SOI PDP高压寻址驱动集成电路.测试结果显示,该电路具有80 V驱动电压和20 mA输出电流,电路时钟频率大于40 MHz.
薄膜、SOI、等离子显示板、寻址驱动电路
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TN43(微电子学、集成电路（IC）)
"十一五"预研项目资助51308020201;电子科技大学校青年基金资助项目JX0831
2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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