SOI-LIGBT N-Buffer参数的研究
基于SOI-LIGBT(Silicon-on-Insulator-Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor),采用二维器件模拟软件Tsuprem4和Medici,仿真N-buffer的注入剂量和结深的变化对器件击穿电压和开态电流能力等参数的影响.通过分析,得出实现击穿电压、开态电流和关断时间折中的一般方法和优化N-buffer设计的一般结论.这不仅适用于该器件的设计,而且对其他LIGBT及纵向IGBT器件的N-buffer设计也有所裨益.
SOI-LIGBT、N-buffer、击穿电压、关断时间
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TN386.1(半导体技术)
2009-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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