一种提高扩散氧化炉温度控制精度的方法
针对半导体制造流程中氧化、扩散、退火炉的Profile温度控制方法存在温度过冲大的问题,提出了Profile控制+前馈方式控制管内温度的新方法.将该方法应用于Thermco 9000扩散炉,使温度过冲由5℃左右减小到0.5℃以下,且恒温时间从25 min减小到20 min.
半导体设备、比例积分微分、Profile温度控制、扩散氧化炉
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TN305(半导体技术)
2009-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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