高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用
随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限,很难继续减薄.作为改进措施,引入高k介质作为新型隧穿层材料.文章介绍了高k材料的研究现状和在NVM器件中应用所取得的进展;最后,对高k介质进一步应用的研究趋势进行了展望.
高k介质、非挥发性存储器、隧穿层、俘获层
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TN304(半导体技术)
国家重点基础研究发展973计划基金资助项目2006CB302706;国家高技术研究发展863计划基金资助项目2008AA031403
2009-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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