一种高电源抑制比CMOS运算放大器
解释了基本两级CMOS运算放大器电源抑制比(PSRR)低的原因;提出了只通过改变偏置结构来提高CMOS运算放大器PSRR的方法.采用0.35 μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,结果显示:通过改变偏置结构,运算放大器的PSRR在一个很宽的频率范围内比传统运算放大器可提高20 dB以上.
CMOS、运算放大器、电源抑制比
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2009-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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