SOI动态阈值MOS器件结构改进
传统SOI DTMOS器件固有的较大体电阻和体电容严重影响电路的速度特性,这也是阻碍SOI DTMOS器件应用于大规模集成电路的最主要原因之一.有人提出通过增大硅膜厚度的方法减小器件体电阻,但随之而来的寄生体电容的增大严重退化了器件特性.为了解决这个问题,提出了一种SOI DTMOS新结构,该器件可以分别优化结深和硅膜的厚度,从而获得较小的寄生电容和体电阻.同时,考虑到沟道宽度对体电阻的影响,将该结构进一步优化,形成侧向栅-体连接的器件结构.ISE-TCAD器件模拟结果表明,较之传统SOI DTMOS器件,该结构的本征延时和电路延时具有明显优势.
绝缘体上硅、动态阈值场效应管、体电容、体电阻
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TN386(半导体技术)
国家基础研究重大项目基金资助206CB3027-01
2009-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
280-284
