双层金属布线中隔离介质淀积工艺研究
隔离介质淀积是微波硅功率器件双层金属布线工艺中的核心工序.从隔离介质结构层次的选取入手,通过理论分析,选取SiO2-Si2N4两层介质为最佳隔离介质结构;着重对隔离介质淀积工艺进行深入研究.通过实验对比分析,确定芯片的隔离介质淀积工艺条件,从而避免光刻胶、腐蚀液等物质残留在芯片内部,提高双层金属布线的可靠性.
微波功率器件、双层金属布线、隔离介质、淀积工艺
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TN405.97(微电子学、集成电路(IC))
2009-05-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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