含双层GST的低功耗CRAM存储元结构设计
基于热场分析,在CRAM存储元传统结构的加热层和底电极之间插入一层存储介质GST,设计出含双层GST的CRAM存储元结构.在模拟存储元热场分布过程中引入热辐射边界条件,使模拟结果更接近实际.根据设计要求,将双层GST新型结构与传统结构的热场进行比较,结果表明,含双层GST的新型结构一方面实现了存储元与CMOS晶体管的热兼容,增强了器件的稳定性;另一方面,将reset电流减小到0.5 mA,降低了器件功耗.
CRAM、存储元、热场分析、双层GST、热兼容
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TP333.8(计算技术、计算机技术)
2009-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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