短沟道下共栅结构宽带CMOS LNA的设计
基于短沟道MOS器件的过量因子随沟道长度降低缓慢增加的特征,研究了短沟道下共栅结构宽带低噪声放大器的噪声性能,并在0.18μm CMOS工艺下设计实现了共栅结构的宽带低噪声放大器.流片测试结果表明,在1.8 V电源电压、4.1 mA工作电流下,该系统获得6.1 dB的最小噪声系数;综合性能与长沟道下相近,符合理论分析和设计要求.
CMOS、过量因子、共栅结构、低噪声放大器、宽带低噪声放大器
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TN432;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)
教育部科学技术重点研究项目03151
2009-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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