InGaP异质结双极晶体管ESD特性研究
研究了高速射频集成电路(RF IC)中InGaP异质结双极晶体管(HBT)器件的特性.测试了单指发射极和双指发射极两种结构器件的大信号DC I-V特性及抗人体模型(HBM)静电放电(ESD)能力.结果表明,双指发射极器件比单指器件能传导更高密度的电流,并能抵抗高能量的ESD;两种器件的击穿特性相似.这些结果可以用来指导RF IC ESD保护电路的设计.
InGaP、异质结双极晶体管、人体模型、静电放电
39
TN325+2(半导体技术)
2009-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
137-140
