剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响
研究了不同剂量率下PMOS剂量计阈值电压的响应.在VTH偏置下,观察了剂量率对PMOS剂量计辐射响应线性度和灵敏度的影响规律及其退火特性.试验结果表明:随着剂量率降低,n值趋近于1,表现出较好的线性度,响应灵敏度也增加.分析认为,PMOS剂量计有明显的低剂量率辐射敏感增强效应(ELDRS),对其损伤机理作了进一步的讨论.
PMOSFET、剂量计、剂量率、阈值响应、灵敏度
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TN386.1(半导体技术)
2009-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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