6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究
研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型.具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响.对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度分布均匀条件下,由于对界面态做了简化处理,因而在耗尽模式及夹断模式下的C-V特性计算结果与实验结果有所差异.
碳化硅、埋沟MOSFET、C-V特性、界面态
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TN386.1(半导体技术)
重庆市科委自然科学基金资助项目CSTC2006BB2364
2009-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
124-127,140
