多指条形GG-NMOS结构ESD保护电路
对采用多指条形GGNMOS结构的ESD保护电路的工作原理进行分析,并对其进行ESD测试实验.理论分析了影响ESD性能的一些因素,提出一种栅耦合技术保护电路方案,并达到了设计要求.实验结果显示,其性能已达到人体放电模式(HBM)的2级标准(2 000~4 000 V).
静电放电、多指条、栅极接地NMOS、人体放电模型
39
TN43(微电子学、集成电路(IC))
2009-04-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
58-61
静电放电、多指条、栅极接地NMOS、人体放电模型
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TN43(微电子学、集成电路(IC))
2009-04-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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