短波长OEIC光接收机前端设计及制作
基于国内的材料和工艺技术,研制出850 nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等.对光探测器和电路分别进行了研究和优化.通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证.分布放大器-3 dB带宽接近20 GHz,跨阻增益约46 dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03～6.5 dB之间.跨阻前置放大器-3 dB带宽接近10 GHz,跨阻增益约43 dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4～6.5 dB之间.集成芯片最高工作速率达到5 Gb/s.
光电集成电路、光接收机前端、PIN、金属-半导体-金属、跨阻放大器、分布参数放大器
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TN43(微电子学、集成电路（IC）)
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助项目9140C1406020708
2009-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
713-717
